DDR2 SDRAM - DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM
Синхронная динамическая память с произвольным доступом с двойной скоростью передачи данных
Тип баран
Swissbit 2 ГБ PC2-5300U-555.jpg
Передняя и задняя часть модуля оперативной памяти PC2-5300 DDR2 объемом 2 ГБ для настольных ПК (DIMM)
РазработчикSamsung[1]
JEDEC
ТипСинхронная динамическая память с произвольным доступом
Поколение2-е поколение
Дата выхода2003 (2003)
Стандарты
  • DDR2-400 (PC2-3200)
  • DDR2-533 (PC2-4266)
  • DDR2-667 (PC2-5333)
  • DDR2-800 (PC2-6400)
  • DDR2-1066 (PC2-8500)
Тактовая частота100–266 МГц
Время цикла10–3,75 нс
Автобус тактовая частота200–533 МГц
Скорость передачи400–1066 МТ / с
Напряжение1,8 В
ПредшественникDDR SDRAM
ПреемникDDR3 SDRAM

Синхронная динамическая память с произвольным доступом с двойной скоростью передачи данных, официально сокращенно DDR2 SDRAM, это двойная скорость передачи данных (ГДР) синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) интерфейс. Он заменил оригинал DDR SDRAM спецификация, а сама была заменена DDR3 SDRAM (запущен в 2007 году). DDR2 DIMM ни то, ни другое прямая совместимость с DDR3 или обратная совместимость с DDR.

Помимо двойной прокачки данных автобус как в DDR SDRAM (передача данных по нарастающим и спадающим фронтам шины тактовый сигнал ), DDR2 обеспечивает более высокую скорость шины и требует меньшего энергопотребления, поскольку внутренние часы работают на половине скорости шины данных. Эти два фактора в совокупности дают в общей сложности четыре передачи данных за один внутренний тактовый цикл.

Поскольку внутренние часы DDR2 работают на половине внешней тактовой частоты DDR, память DDR2, работающая с той же тактовой частотой внешней шины данных, что и DDR, позволяет DDR2 обеспечивать такую ​​же пропускная способность но с лучшим задержка. В качестве альтернативы, память DDR2, работающая с удвоенной тактовой частотой внешней шины данных, как DDR, может обеспечить вдвое большую пропускную способность с той же задержкой. Модули памяти DDR2 с лучшим рейтингом по крайней мере в два раза быстрее, чем модули памяти DDR с лучшим рейтингом. Максимальная емкость имеющихся в продаже модулей DDR2 DIMM составляет 8 ГБ, но поддержка набора микросхем и доступность для этих модулей DIMM ограничены, и чаще всего требуется 2 ГБ на модуль DIMM. использовал.[нужна цитата ][2]

История

DDR2 SDRAM была впервые произведена Samsung в 2001 г. В 2003 г. JEDEC Организация стандартов наградила Samsung своей наградой за техническое признание за усилия компании по разработке и стандартизации DDR2.[1]

DDR2 была официально представлена ​​во втором квартале 2003 года с двумя начальными тактовыми частотами: 200 МГц (называемая PC2-3200) и 266 МГц (PC2-4200). Оба были хуже, чем исходная спецификация DDR, из-за более высокой задержки, что увеличивало общее время доступа. Однако оригинальная технология DDR работает на максимальной тактовой частоте около 200 МГц (400 МТ / с). Существуют чипы DDR с более высокой производительностью, но JEDEC заявила, что они не будут стандартизированы. Эти микросхемы в основном представляют собой стандартные микросхемы DDR, которые были протестированы производителем и признаны способными работать на более высоких тактовых частотах. Такие микросхемы потребляют значительно больше энергии, чем микросхемы с более медленной тактовой частотой, но обычно практически не улучшают реальную производительность. DDR2 начала конкурировать с более старым стандартом DDR к концу 2004 года, когда стали доступны модули с более низкой задержкой.[3]

Технические характеристики

Обзор

PC2-5300 DDR2 SO-DIMM (для ноутбуков)
Сравнение модулей памяти для настольных ПК (DIMM)
Сравнение модулей памяти для портативных / мобильных ПК (SO-DIMM)

Ключевое различие между DDR2 и DDR SDRAM - увеличение длины предварительной выборки. В DDR SDRAM длина предварительной выборки составляла два бита на каждый бит в слове; тогда как в DDR2 SDRAM это четыре бита. Во время доступа четыре бита были прочитаны или записаны в или из очереди предварительной выборки с глубиной в четыре бита. Эта очередь принимала или передавала свои данные по шине данных за два тактовых цикла шины данных (каждый тактовый цикл передавал два бита данных). Увеличение длины предварительной выборки позволило DDR2 SDRAM удвоить скорость, с которой данные могут передаваться по шине данных, без соответствующего удвоения скорости доступа к массиву DRAM. DDR2 SDRAM была разработана по такой схеме, чтобы избежать чрезмерного увеличения энергопотребления.

Частота шины DDR2 увеличена за счет улучшений электрического интерфейса, прекращение действия на смерть, буферы предварительной выборки и драйверы вне кристалла. Тем не мение, задержка значительно увеличивается в качестве компромисса. Глубина буфера предварительной выборки DDR2 составляет четыре бита, тогда как для DDR - два бита. В то время как DDR SDRAM имеет типичные задержки чтения от двух до трех циклов шины, DDR2 может иметь задержки чтения от трех до девяти циклов, хотя типичный диапазон составляет от четырех до шести. Таким образом, для достижения такой же задержки память DDR2 должна работать с удвоенной скоростью передачи данных.

Другой причиной увеличения пропускной способности является требование, чтобы микросхемы были упакованы в более дорогие и трудные для сборки. BGA пакет по сравнению с ЦСОП пакет предыдущих поколений памяти, таких как DDR SDRAM и SDR SDRAM. Это изменение упаковки было необходимо для поддержания целостности сигнала на более высоких скоростях шины.

Экономия энергии достигается в первую очередь за счет улучшенного производственного процесса за счет усадки матрицы, что приводит к падению рабочего напряжения (1,8 В по сравнению с 2,5 В DDR). Более низкая тактовая частота памяти также может позволить снизить энергопотребление в приложениях, которым не требуются самые высокие доступные скорости передачи данных.

Согласно JEDEC[4] максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,9 В, и его следует считать абсолютным максимумом, когда стабильность памяти является проблемой (например, в серверах или других критически важных устройствах). Кроме того, JEDEC заявляет, что модули памяти должны выдерживать напряжение до 2,3 В, прежде чем они будут необратимо повреждены (хотя на самом деле они могут работать некорректно на этом уровне).

Чипы и модули

Для использования в компьютерах DDR2 SDRAM поставляется в DIMM с 240 штифтами и одной установочной выемкой. Ноутбук DDR2 SO-DIMM имеют 200 контактов и часто идентифицируются дополнительными S в их обозначении. Модули DIMM идентифицируются по их пиковой пропускной способности (часто называемой пропускной способностью).

Сравнение стандартов DDR2 SDRAM
ИмяЧипАвтобусСроки
СтандартТипМодульТактовая частота (МГц )Время цикла (нс )[5]Тактовая частота (МГц)Скорость передачи (МТ / с)Пропускная способность (МБ / с )CL-TУЗО-TRP[6][7]Задержка CAS (нс)
DDR2-400BPC2-32001001020040032003-3-315
C4-4-420
DDR2-533BPC2-4200 *1337.526653342663-3-311.25
C4-4-415
DDR2-667CPC2-5300 *166633366753334-4-412
D5-5-515
DDR2-800CPC2-6400200540080064004-4-410
D5-5-512.5
E6-6-615
DDR2-1066EPC2-8500 *2663.75533106685336-6-611.25
F7-7-713.125
Сравнение относительной скорости между аналогичными модулями
PC-5300PC-6400
5-5-54-4-46-6-65-5-54-4-4
PC2-3200 4-4-4%%+33%+60%%
PC2-3200 3-3-3%%=+20%%
PC2-4200 4-4-4%%=+21%%
PC2-4200 3-3-3%%−24%−9%%
PC2-5300 5-5-5%%=+21%%
PC2-5300 4-4-4%%−19%−3%%
PC2-6400 6-6-6%%=+20%%
PC2-6400 5-5-5%%−16%=%
PC2-6400 4-4-4%%−33%−20%%
PC2-8500 7-7-7%%−12%+6%%
PC2-8500 6-6-6%%−25%−9%%

* Некоторые производители маркируют свои модули DDR2 как PC2-4300, PC2-5400 или PC2-8600 вместо соответствующих имен, предлагаемых JEDEC. По крайней мере, один производитель сообщил, что это свидетельствует об успешном тестировании со скоростью передачи данных выше стандартной.[8] в то время как другие просто округляют имя.

Примечание: DDR2-xxx обозначает скорость передачи данных и описывает необработанные микросхемы DDR, тогда как PC2-xxxx обозначает теоретическую полосу пропускания (с усеченными двумя последними цифрами) и используется для описания собранных модулей DIMM. Пропускная способность рассчитывается путем умножения количества передач в секунду на восемь. Это связано с тем, что модули памяти DDR2 передают данные по шине шириной 64 бита, а поскольку байт состоит из 8 бит, это равняется 8 байтам данных за одну передачу.

Сравнение позиций DDR2 P и F Server DIMM
DDR2 п против F Сервер Сравнение позиций выемок DIMM

Помимо вариантов пропускной способности и емкости, модули могут:

  1. При желании реализовать ECC, который представляет собой дополнительную полосу байтов данных, используемую для исправления незначительных ошибок и обнаружения основных ошибок для повышения надежности. Модули с ECC помечаются дополнительной ECC в их обозначении. PC2-4200 ECC - это модуль PC2-4200 с ECC. Дополнительный п можно добавить в конце обозначения, P означает четность (например, PC2-5300P).
  2. Intel ® 6402 Advanced Memory Buffer
    Intel ® 6402 Advanced Memory Buffer
    Быть «зарегистрированным» («буферизованным»), что улучшает целостность сигнала (и, следовательно, потенциально тактовую частоту и физическую емкость слотов) за счет электрической буферизации сигналов за счет дополнительных часов с увеличенной задержкой. Эти модули обозначены дополнительным р в их обозначении, тогда как незарегистрированные (a.k.a. "небуферизованный ") БАРАН может быть определены дополнительным U в обозначении. PC2-4200R - зарегистрированный модуль PC2-4200, PC2-4200R ECC - тот же модуль, но с дополнительным ECC.
  3. Быть в курсе полностью буферизованный модули, которые обозначены F или же FB не имеют такого же положения метки, как другие классы. Модули с полной буферизацией не могут использоваться с материнскими платами, предназначенными для зарегистрированных модулей, а другое положение выемки физически препятствует их установке.

Примечание:

  • Зарегистрированная и небуферизованная SDRAM, как правило, нельзя смешивать на одном канале.
  • Модули DDR2 с самым высоким рейтингом в 2009 году работали на частоте 533 МГц (1066 МТ / с) по сравнению с модулями DDR с самым высоким рейтингом, работающими на частоте 200 МГц (400 МТ / с). В то же время задержка CAS 11,2 нс = 6 / (тактовая частота шины) для лучших модулей PC2-8500 сопоставима с задержкой 10 нс = 4 / (тактовая частота шины) для лучших модулей PC-3200.

Обратная совместимость

Модули DDR2 DIMM не имеют обратной совместимости с модулями DDR DIMM. Положение на модулях DDR2 DIMM отличается от положения модулей DDR DIMM, а плотность контактов выше, чем у модулей DDR DIMM в настольных компьютерах. DDR2 - это 240-контактный модуль, DDR - это 184-контактный модуль. Ноутбуки имеют 200-контактные модули SO-DIMM для DDR и DDR2; однако выемка на модулях DDR2 находится в несколько ином положении, чем на модулях DDR.

Модули DIMM с более высокой скоростью DDR2 могут быть смешаны с модулями DIMM с более низкой скоростью DDR2, хотя контроллер памяти будет работать со всеми модулями DIMM с той же скоростью, что и имеющийся модуль DIMM с самой низкой скоростью.

Отношение к памяти GDDR

GDDR2, форма GDDR SDRAM, был разработан Samsung и введен в июле 2002 г.[9] Первым коммерческим продуктом, заявившим об использовании технологии "DDR2", был Nvidia GeForce FX 5800 видеокарта. Однако важно отметить, что эта память GDDR2, используемая на видеокартах, не является DDR2 как таковой, а скорее ранним промежуточным звеном между технологиями DDR и DDR2. Использование «DDR2» для обозначения GDDR2 является разговорный неправильное употребление. В частности, отсутствует удвоение тактовой частоты ввода-вывода для повышения производительности. У него были серьезные проблемы с перегревом из-за номинального напряжения DDR. ATI с тех пор разработал технологию GDDR в GDDR3, который основан на DDR2 SDRAM, хотя с некоторыми дополнениями, подходящими для видеокарт.

GDDR3 и GDDR5 в настоящее время широко используется в современных видеокартах и ​​некоторых планшетных ПК. Однако еще одна путаница была добавлена ​​в эту смесь с появлением бюджетных и средних видеокарт, которые утверждают, что используют «GDDR2». Эти карты фактически используют стандартные микросхемы DDR2, предназначенные для использования в качестве основной системной памяти, хотя работают с более высокими задержками для достижения более высоких тактовых частот. Эти чипы не могут достичь тактовой частоты GDDR3, но они недорогие и достаточно быстрые, чтобы их можно было использовать в качестве памяти на картах среднего класса.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ а б «Samsung демонстрирует первый в мире прототип памяти DDR 3». Phys.org. 17 февраля 2005 г.. Получено 23 июн 2019.
  2. ^ https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/modules/parity_rdimm/htf36c256_512_1gx72pz.pdf?rev=e8e3928f09794d61809f92abf36bfb24
  3. ^ Илья Гавриченков. «DDR2 против DDR: месть достигнута». X-bit Laboratories. Архивировано из оригинал 21 ноября 2006 г.
  4. ^ JEDEC JESD 208 (раздел 5, таблицы 15 и 16)
  5. ^ Время цикла обратно пропорционально тактовой частоте шины ввода-вывода; например, 1 / (100 МГц) = 10 нс на такт.
  6. ^ "СПЕЦИФИКАЦИЯ DDR2 SDRAM" (PDF). JESD79-2E. JEDEC. Апрель 2008 года: 78. Получено 2009-03-14. Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)
  7. ^ «СПЕЦИАЛЬНОСТЬ DDR2-1066 SDRAM» (PDF). JEDEC. Ноябрь 2007 года: 70. Получено 2009-03-14. Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)
  8. ^ Mushkin PC2-5300 против Corsair PC2-5400
  9. ^ «Samsung Electronics объявляет о выпуске JEDEC-совместимой памяти GDDR2 256 МБ для 3D-графики». Samsung Electronics. Samsung. 23 августа 2003 г.. Получено 26 июн 2019.

дальнейшее чтение

Примечание **: веб-сайт JEDEC требует регистрации (членство в размере 2500 долларов США) для просмотра или загрузки следующих документов: http://www.jedec.org/standards-documents

внешняя ссылка